晶體管造句,用晶體管造句

(1) 由BIMOS型運放和VMOS場效應晶體管的巧妙配合，使儀器具有很高的精度和很好的性能。

(2) 這一現象可用來判別雙極晶體管結溫分布的不均勻性。

(3) 采用標準分立雙極元件，對雙極晶體管瞬態輻射光電流分流補償法進行了實驗驗證。

(4) 這是一臺最新式晶體管收音機。

(5) 阻容晶體管邏輯電路。

(6) 結晶裝置，結晶方法，薄膜晶體管的制造方法、薄膜晶體管和顯示裝置。

(7) 存儲元件的第一端子和第二端子只有一個電連接于單極晶體管。

(8) 該原子的表現正如一個量子光學晶體管，能持續控制流入光腔的光。

(9) 光電晶體管。集電極發射極電壓30V的集電極發射極電壓為5V功耗75毫瓦。

(10) 我們所研究的晶體管都是把電流饋入發射極.

(11) 我們戴手表，用相機拍照片，看地圖找路，聽晶體管收音機，而你們用一部手機可以做以上所有的事。

(12) 對雙極晶體管進行了不同劑量率、不同偏置的電離輻照實驗。

(13) 其內部只不過是一串串極為普通的金屬線和晶體管，但外觀上卻使人不敢等閑視之。

(14) 只有一個外部晶體管所需的變容二極管，線路驅動。

(15) 對雙極晶體管結構和關鍵性能參數進行了研究和設計，并進行了流片測試。

(16) 在晶體管收、擴音機中,廣泛采用推挽功率放大電路.

(17) 這些高速開關器件取代慢，少的高效雙極晶體管，增改善的表現，雙方的步進電機驅動器和伺服放大器。

(18) 另外，最有其他研究人員研制出了紙基晶體管，米若因博士的電池可為帶有這種晶體管的裝置配電。

(19) 硅外延面晶體管，用于音頻和通用。

(20) 該文以微波放大器的有源網絡設計為基礎，針對微波晶體管輸入與輸出阻抗相互影響的特點，提出了阻抗匹配的自適應遞推設計方法。

(21) 這類器件包括光電池、光電晶體管等。

(22) 形成圖案的方法，薄膜晶體管，顯示設備及制法和應用。

(23) 這里提出的結構解決了這個問題，它利用標準CMOS晶體管來實現非易失性存儲器，這樣就不需要額外的掩膜或工藝步驟。

(24) 一種互補式金氧半導體影像傳感器的制造方法，此方法是在基底中形成隔離層，以將基底區隔為光二極管感測區以及晶體管元件區。

(25) “韓國泡菜碗里這個最辣的辣椒”就是三星電子，三星電子第一個電子產品是笨重的晶體管收音機，而發展到現在，從銷量的角度去評估，它已經是世界上最大的科技公司。

(26) 本文提出了高壓低飽和壓降GTR的最佳設計方法。分析表明，高壓低飽和壓降晶體管采用集電區穿通性設計比非穿通性設計有利。

(27) 一種其工作取決于固體材料中電或磁現象控制情況的元件，例如晶體管、晶體二極管和鐵氧體磁芯等。

(28) 這也是我第一印象，很高興得到你的認同，鳳凰結合了膽機與晶體管機中最好的部分。

(29) 這種電路的每一支路中的元件，除一般電路元件外，還可能包括功率開關晶體管、二極管或隔離變壓器的一個繞組。

(30) 如果大腦中的神經連接變多變細，就會碰到熱力學極限，正如計算機芯片上的晶體管所遇到的問題一樣：容易產生“噪音”。

(31) 另外，最有其他研究人員研制出了紙基晶體管，米若因博士的可為帶有這種晶體管的裝置配電。

(32) 這FET晶體管，這里用作可變電阻的電路IC2的反應的一部分。

(33) 硅互補PNP晶體管。音頻放大器和驅動器。

(34) 這臺電磁式機器一直使用到1959年，然后就被遺棄在灰塵中，因為到了那個時期，首先使用電子管、接著晶體管、然后集成電路芯片的真正電子計算機先后問世。

(35) 本文討論了復合開關晶體管的基本特性和開關特性，提供了實測數據和應用電路實例。

(36) 本文根據晶體管非線性元件的特點，利用數學推導方法，從基礎上分析了變頻工作嘯叫的原因，并提出了消除方法。

(37) 本文在對器件的特性進行分析的基礎上，對多輸入浮柵MOS晶體管在電壓型多值邏輯電路中的應用進行了研究。

(38) 電子控制單元。包括由轉速傳感器控制的開關晶體管，用來斷開或接通初級電路。

(39) 這就是說，電路并不在晶體管層次進行設計，而是在門電路、觸發器和存儲模塊的級別進行設計的。

(40) 特別地，當一個高功率電磁脈沖突然加載在晶體管上時，會導致晶體管的電擊穿或熱擊穿。

(41) 隨意地，如果用鍺晶體管取代硅晶體管，可使模塊工作的輸入電壓最小為0.25V。

(42) 我們必須十分重視晶體管的偏置.

(43) 它擁有5英寸的屏幕使用了23個硅鍺晶體管。

(44) 在大多數應用中，電子管已由晶體管代替，但是在陰極射線管和一些無線電頻率電路以及音頻放大器中，仍然要使用電子管。

(45) 通常由一個電阻器或者電流源，電容器和一個“閥門”裝置，如氖燈、兩端交流開關、單結晶體管或者耿式效應二極管來實現。

(46) 圖爾表示，晶體管必須是純粹的半導體才能傳載信息。

(47) 在一般的雙極晶體管，帶有電輸入和輸出端口，這定律完全適用。

(48) 器件測試結果充分證實了自對準雙柵薄膜晶體管的優越性能。

(49) 本文采用較全面的包括四個寄生雙極晶體管和MOS管的閂鎖模型，詳細分析了瞬態輻照下CMOS反相器的閂鎖效應。

(50) 比較了適用于甲類工作和適用丙類工作的微波功率雙極晶體管的差異，并對這些差異提出了物理解釋。

(51) 舉例說明，20兆赫茲的峰點是鉗位過程結束后主要由場效應晶體管輸出電容和變壓器漏感引起的寄生振蕩產生的。

(52) 其次，對提高有機薄膜晶體管的電學性能的研究。

(53) 該同步機以FPGA，與集成電路、晶體管分立元件相結合，實現對輸入脈沖觸發轉換、脈沖成形以及驅動輸出，最終產生多路同步觸發信號。

(54) 日本最大的產業不是造船業，不是珍珠養殖業，亦不是晶體管收音機或攝像機生產業，而是娛樂業。

(55) 它還集成了兩個內部低飽和PNP晶體管,措置雙溝道充電性能.

(56) 場效應晶體管以及制造場效應晶體管的方法。

(57) 新型晶體管的開關時間縮短了三分之二。

(58) 在半導體收音機中晶體管代替了真空管.

(59) 晶體管有三個電極,即發射極,基極和集電極.

(60) 金屬鍵合線互連是射頻大功率晶體管內匹配技術中的關鍵手段。

(61) 光耦，光電晶體管輸出，基地連接。

(62) R1和Q1的門源極電容決定了晶體管的關閉時間.

(63) 文中從單電子晶體管微觀哈密頓量出發，推導基于微觀參量表征的單電子器件輸運特性公式及隧道結電阻表示式。

(64) 介紹一個實用的晶體管開關電路，用它能夠較準確地測定電容和介電常量。

(65) 從微波晶體管、場效應管管芯的單向化模型出發,給出了對微波寬帶放大器的不等波紋函數型阻抗匹配網絡綜合方法.

(66) 然而，有機場效應晶體管性能的快速進步，主要得益于新型有機半導體材料方面的研究進展。

(67) 討論了雙極性晶體管雪崩的工作原理，分析了采用級聯雙極性晶體管結構的超寬帶極窄脈沖發生器的電路。

(68) 利用定時器NE556和程控單結晶體管，設計了一種新型多路脈沖分配器。

(69) 結果表明：在輻照的劑量率范圍內，無論是國產還是進口的雙極晶體管，都有明顯的低劑量率輻照損傷增強現象，且NPN管比PNP管的明顯。

(70) 比如，在1975年，數字電路用的是晶體管綜合線路，但到了1985年，數字電路就變成微處理器設計了。

(71) 在防止芯片尺寸增大且抑制了功耗增大的同時，來對MOS晶體管的溫度相關性進行補償。

(72) 微晶體管利用背板在屏幕上顯示各個彩色像素，在過去20年里，由于背板技術的革新，液晶顯示器刷屏的速度得以提高。

(73) 采用多晶硅發射區和基區重摻雜技術，獲得了可與CMOS結構兼容，基區電阻較小的硅低溫雙極晶體管。

(74) 本文對得到的結論給出了合理解釋，以期未來能以此為依據調整器件結構、改變外電路形式，從而提高晶體管對電磁脈沖耐受性。

(75) 他在我們學校附的晶體管收音機廠工作.

(76) 本文介紹一種分析非晶硅場效應晶體管靜態特性的非模型方法。

(77) 晶體管的一項特別引人注意的應用是在助聽器方面.

(78) 這種新晶體管的開關時間將延長三分之二。

(79) 其課題在于，針對氮化鎵系的高電子遷移率晶體管，提高二維電子濃度和電子遷移率，并且不產生短溝道效應。

(80) 多晶硅薄膜晶體管以其獨特的優點在液晶顯示領域中有著重要位置。

(81) 逆變器采用絕緣柵雙極晶體管模塊制造。

(82) 一般用途低級別的放大器和開關晶體管。

(83) 晶體管放大電路擁有一個防震二極管以防止由電線長度引起的自感應現象，此防震二極管連接在2個晶體管金屬絲接頭上。

(84) 該穩壓系統的關鍵在于控制系統的設計，及開關晶體管的選擇及應用。

(85) 場效應晶體管，特別是雙擴散場效應晶體管，及其制造方法。

(86) 絕緣柵雙極晶體管。N溝道增強模式，高速開關。

(87) 硅互補PNP晶體管。通用輸出和音頻放大器的驅動程序。

(88) 此外，還介紹一個小型通用程序，它能對一些定向耦合器、衡晶體管放大器以及電調衰減器等進行分析和優化設計。

(89) 本文介紹了晶體管的雪崩原理，通過張弛振蕩器、崩振蕩器、音頻信號發生器和閃光節拍器四個例子介紹了雪崩晶體管的應用。

(90) 然后，在薄膜晶體管面板上的不良像素區域沉積或者印刷不透明物質。

(91) 每個晶體管至少有三個電極。

(92) 達林頓晶體管增益大、可靠性高，尤其在大功率應用中更加簡便。

(93) 這導致主要產品是晶體管類擴音機，當然我們不排斥完全電池供電的膽機設備，雖然膽機電池供電重量和體積太大，對大多數人也不劃算。

(94) 該電路由一集成運算放大器及多端輸出的雙極晶體管電流鏡構成。

(95) 本文從包括埋層影響的集區雜質分布出發，求出了寄生PNP晶體管的共基極電流放大系數。

(96) 描述了雙極型晶體管及其制造.

(97) 文章回顧了分子器件的發展歷程和研究現狀，并重點對分子導線、分子開關、分子整流器和分子晶體管等器件進行了介紹。

(98) 在硬開關里場效應晶體管的開啟波形拐點并不和漏源極電壓值同步。

(99) 一群科學家們成功地創造出單分子晶體管。

(100) 電子管和晶體管能放大輸入的信號.

(101) 為了用不同開關電源設備代替Q1，例如NPN雙極晶體管或繼電器，指定Q2供給開關設備所需的控制電流。

(102) 這種新晶體管的開關時間將縮短三分之二。

(103) 固體物理學為我們帶來了晶體管。

(104) 在卡恩斯電路中，晶體管、電容器和可變電阻器是三個基本元件。

(105) 當今市面上最好的芯片使用32納米的面晶體管，而下一代芯片將使用22納米晶體管。

(106) 本文敘述了發生在單結晶體管二階受迫振蕩電路中的倍周期分岔，周期迭加分岔和混沌現象，并討論了這些現象的發生機理。

(107) 本文提出互補橫向絕緣柵雙極晶體管CLIGBT的一種網絡模型。

(108) 顧名思義，晶體管常用作混頻器，可以輸出混頻信號，并且是許多電子通訊系統的基本元件。

(108) 高考升學網祝您造句快樂,天天進步!

(109) 乙方應嚴格按照甲方的設計將甲方供給的零部件裝配成晶體管收音機，不得變動。

(110) 幾百個微細的晶體管、晶片和其他電子零件被機械人“拾起并定位”到每塊電子版上，多支機械手臂一起快速舞動，讓人目不暇接。

(111) 富士通公司指出使用氮化鎵高電子遷移率晶體管技術后，新型放大器功率比目前使用砷化鎵晶體管的放大器的功率提高了6倍多。

(112) 該組研究人員成功地在每張紙幣上印上100層有機超薄型薄膜晶體管，足以執行簡單的計算任務。

(113) 復合晶體管，復合晶體管對，電流方器和CMOS模擬乘法器。

(114) 本發明能夠抑制氧化物半導體層中晶格缺陷的形成并抑制濕氣的進入，從而提高薄膜晶體管的可靠性。

(115) 介紹了用萬用表檢測集成電路塊和單結晶體管的方法。

(116) 傳統晶體管使用一個叫做“柵極”的金屬電極，以控制電子在面硅基片上的溝道中的流動。

(117) 然而，鍺晶體管價格相對高些，所以只在需要低輸入電壓的應用中使用。

(118) 晶體管交流毫伏表只能用于正弦電壓測量，使測量任意波形電壓受到限制。

(119) 基極晶體管中發射極和.集..電.極之間的區域.

(120) 硅互補PNP晶體管。音頻放大器的輸出。